Справочник электронных компонентов

Транзистор AP9972GH-HF

AP9972GH-HF - Транзистор полевой MOSFET структуры N

Тип исполнения: для поверхностного монтажа на плату (SMD)
Корпус: TO-252

Основные характеристики:

Максимальная рассеиваемая мощность стока, Pd: 89.3 Вт
Максимальное напряжение сток-исток, Vds: 60 В
Максимальное напряжение затвор-исток, Vgs: 20 В
Пороговое напряжение включения, Vgs(th): -
Максимальный постоянный ток стока, Id: 60 А
Сопротивление открытого перехода сток-исток, Rds: 0.018 Ом
Общий заряд затвора, Qg: 32 нКл
Время нарастания импульса открытия, Tr: 58 нС
Входная емкость (затвор-исток), Ci: 280 пФ
Максимальная рабочая температура канала, Tj: 150 гр.Ц

Транзистор AP9972GH-HF можно заменить на:

НАЗВАНИЕ	ТИП	СТР.	Pd, Вт	Vds, В	Vgs, В	Vgsth, В	Id, А	Rds, Ом	Qg, нКл	Tr, нС	Ci, пФ	Tj, гр.Ц	КОРПУС
AM90N06-09B	SMD	N	300	60	20	1	90	0.009	32	10	223	150	TO-263
AM90N06-16P	PTH	N	300	60	20	1	90	0.0165	21	17	184	175	TO-220AB
AP9972GP-HF	PTH	N	89	60	25	-	60	0.018	32	58	280	150	TO-220
AP9972GR	PTH	N	89	60	25	3	60	0.018	32	58	280	150	TO-262
AP9972GS-HF	SMD	N	89	60	25	-	60	0.018	32	58	280	150	TO-263
MM68N06K	PTH	N	115	60	20	4	68	0.018	20	45.1	158	175	TO-220
PSMN011-60MS	SMD	N	91	60	20	4	61	0.0113	23	8.46	191	175	LFPAK33
SSM9972GS	SMD	N	89	60	25	3	60	0.018	32	58	280	150	TO-263