Транзистор AP9980GJ
AP9980GJ - Транзистор полевой MOSFET структуры N
- Тип исполнения: с выводами для монтажа в плату через отверстия (PTH)
- Корпус: TO-251
Основные характеристики:
- Максимальная рассеиваемая мощность стока, Pd: 41.7 Вт
- Максимальное напряжение сток-исток, Vds: 80 В
- Максимальное напряжение затвор-исток, Vgs: 25 В
- Пороговое напряжение включения, Vgs(th): -
- Максимальный постоянный ток стока, Id: 21.3 А
- Сопротивление открытого перехода сток-исток, Rds: 0.045 Ом
- Общий заряд затвора, Qg: -
- Время нарастания импульса открытия, Tr: 20 нС
- Входная емкость (затвор-исток), Ci: 135 пФ
- Максимальная рабочая температура канала, Tj: 150 гр.Ц
Транзистор AP9980GJ можно заменить на:
| НАЗВАНИЕ |
ТИП |
СТР. |
Pd, Вт |
Vds, В |
Vgs, В |
Vgsth, В |
Id, А |
Rds, Ом |
Qg, нКл |
Tr, нС |
Ci, пФ |
Tj, гр.Ц |
КОРПУС |
| AOB416 |
SMD |
N |
150 |
100 |
25 |
4 |
45 |
0.036 |
- |
7 |
110 |
175 |
TO-263 |
| AOT416 |
PTH |
N |
150 |
100 |
25 |
4 |
42 |
0.037 |
- |
7.2 |
110 |
175 |
TO-220 |
| AP9980GH |
SMD |
N |
41.7 |
80 |
25 |
3 |
21.3 |
0.045 |
- |
20 |
135 |
150 |
TO-252 |
| AP9980GH-HF |
SMD |
N |
41.7 |
80 |
25 |
3 |
21.3 |
0.045 |
- |
20 |
135 |
150 |
TO-252 |
| AP9980GJ-HF |
PTH |
N |
41.7 |
80 |
25 |
3 |
21.3 |
0.045 |
- |
20 |
135 |
150 |
TO-251 |
| SM1A11NSU |
SMD |
N |
54 |
100 |
25 |
- |
24 |
0.045 |
- |
8 |
90 |
150 |
TO-252 |
| SM1A11NSUB |
PTH |
N |
54 |
100 |
25 |
- |
24 |
0.045 |
- |
8 |
90 |
150 |
TO-251 |
| SM8008NSU |
SMD |
N |
50 |
80 |
25 |
2.5 |
28 |
0.035 |
38 |
13 |
115 |
150 |
TO-252 |