Транзистор AP9997AGH

AP9997AGH - Транзистор полевой MOSFET структуры N

• Тип исполнения: для поверхностного монтажа на плату (SMD)
• Корпус: TO-252

Основные характеристики:

• Максимальная рассеиваемая мощность стока, Pd: 34.7 Вт
• Максимальное напряжение сток-исток, Vds: 120 В
• Максимальное напряжение затвор-исток, Vgs: 20 В
• Пороговое напряжение включения, Vgs(th): 2.5 В
• Максимальный постоянный ток стока, Id: 8.8 А
• Сопротивление открытого перехода сток-исток, Rds: 0.185 Ом
• Общий заряд затвора, Qg: -
• Время нарастания импульса открытия, Tr: 13.5 нС
• Входная емкость (затвор-исток), Ci: 55 пФ
• Максимальная рабочая температура канала, Tj: -

Транзистор AP9997AGH можно заменить на:

Нет элементов для замены