Справочник электронных компонентов

Транзистор AP9997GP

AP9997GP - Транзистор полевой MOSFET структуры N

Основные характеристики:

Транзистор AP9997GP можно заменить на:

НАЗВАНИЕ ТИП СТР. Pd, Вт Vds, В Vgs, В Vgsth, В Id, А Rds, Ом Qg, нКл Tr, нС Ci, пФ Tj, гр.Ц КОРПУС
HY18N20D SMD N 48 200 30 3 18 0.092 - 8.6 55 150 TO-252
HY18N20T PTH N 57 200 30 3 18 0.092 - 8.6 55 175 TO-220AB
MDD1903RH SMD N 36.8 100 20 3 12.8 0.105 - 10.6 60 150 TO-252
MDIS1903TH PTH N 36.8 100 20 3 12.8 0.105 - 10.6 60 150 TO-251VS
SPN11T10 SMD и PTH N 40 100 20 3 16 0.12 13 17 65 150 TO-252,TO-251