Транзистор AP99T03GS
AP99T03GS - Транзистор полевой MOSFET структуры N
- Тип исполнения: для поверхностного монтажа на плату (SMD)
- Корпус: TO-263
Основные характеристики:
- Максимальная рассеиваемая мощность стока, Pd: 156 Вт
- Максимальное напряжение сток-исток, Vds: 30 В
- Максимальное напряжение затвор-исток, Vgs: 20 В
- Пороговое напряжение включения, Vgs(th): 2.5 В
- Максимальный постоянный ток стока, Id: 120 А
- Сопротивление открытого перехода сток-исток, Rds: 0.0025 Ом
- Общий заряд затвора, Qg: -
- Время нарастания импульса открытия, Tr: 60 нС
- Входная емкость (затвор-исток), Ci: 1060 пФ
- Максимальная рабочая температура канала, Tj: 150 гр.Ц
Транзистор AP99T03GS можно заменить на:
| НАЗВАНИЕ |
ТИП |
СТР. |
Pd, Вт |
Vds, В |
Vgs, В |
Vgsth, В |
Id, А |
Rds, Ом |
Qg, нКл |
Tr, нС |
Ci, пФ |
Tj, гр.Ц |
КОРПУС |
| AP99T03GP |
PTH |
N |
156 |
30 |
20 |
2.5 |
120 |
0.0025 |
- |
60 |
1060 |
150 |
TO-220 |
| AP99T03GR-HF |
PTH |
N |
156 |
30 |
20 |
2.5 |
120 |
0.0025 |
80 |
60 |
1060 |
150 |
TO-262 |