Транзистор APQ01SN60AB
APQ01SN60AB - Транзистор полевой MOSFET структуры N
- Тип исполнения: для поверхностного монтажа на плату (SMD)
- Корпус: TO-252
Основные характеристики:
- Максимальная рассеиваемая мощность стока, Pd: 20 Вт
- Максимальное напряжение сток-исток, Vds: 600 В
- Максимальное напряжение затвор-исток, Vgs: 30 В
- Пороговое напряжение включения, Vgs(th): 4 В
- Максимальный постоянный ток стока, Id: 1 А
- Сопротивление открытого перехода сток-исток, Rds: 9.3 Ом
- Общий заряд затвора, Qg: -
- Время нарастания импульса открытия, Tr: 5.7 нС
- Входная емкость (затвор-исток), Ci: 20 пФ
- Максимальная рабочая температура канала, Tj: 150 гр.Ц
Транзистор APQ01SN60AB можно заменить на:
| НАЗВАНИЕ |
ТИП |
СТР. |
Pd, Вт |
Vds, В |
Vgs, В |
Vgsth, В |
Id, А |
Rds, Ом |
Qg, нКл |
Tr, нС |
Ci, пФ |
Tj, гр.Ц |
КОРПУС |
| APQ01SN60AA |
PTH |
N |
20 |
600 |
30 |
4 |
1 |
9.3 |
- |
5.7 |
20 |
150 |
TO-251 |
| CS1N60B3R |
PTH |
N |
32 |
600 |
30 |
4 |
1.5 |
8 |
5.2 |
5 |
18 |
150 |
TO-251 |