Транзистор APQ02SN65AA
APQ02SN65AA - Транзистор полевой MOSFET структуры N
- Тип исполнения: с выводами для монтажа в плату через отверстия (PTH)
- Корпус: TO-251
Основные характеристики:
- Максимальная рассеиваемая мощность стока, Pd: 30 Вт
- Максимальное напряжение сток-исток, Vds: 650 В
- Максимальное напряжение затвор-исток, Vgs: 30 В
- Пороговое напряжение включения, Vgs(th): 4 В
- Максимальный постоянный ток стока, Id: 2 А
- Сопротивление открытого перехода сток-исток, Rds: 5.5 Ом
- Общий заряд затвора, Qg: -
- Время нарастания импульса открытия, Tr: 13.9 нС
- Входная емкость (затвор-исток), Ci: 32 пФ
- Максимальная рабочая температура канала, Tj: 150 гр.Ц
Транзистор APQ02SN65AA можно заменить на:
| НАЗВАНИЕ |
ТИП |
СТР. |
Pd, Вт |
Vds, В |
Vgs, В |
Vgsth, В |
Id, А |
Rds, Ом |
Qg, нКл |
Tr, нС |
Ci, пФ |
Tj, гр.Ц |
КОРПУС |
| APQ02SN65AB |
SMD |
N |
30 |
650 |
30 |
4 |
2 |
5.5 |
- |
13.9 |
32 |
150 |
TO-252 |
| CS2N65A3 |
PTH |
N |
35 |
650 |
30 |
4 |
2 |
4.5 |
9 |
6 |
31 |
150 |
TO-251 |
| CS2N65A3HY |
PTH |
N |
35 |
650 |
30 |
4 |
2 |
4.5 |
9 |
6 |
31 |
150 |
TO-251 |
| CS2N65A4HY |
SMD |
N |
35 |
650 |
30 |
4 |
2 |
4.5 |
9 |
6 |
31 |
150 |
TO-252 |