Справочник электронных компонентов

Транзистор APQ04SN60A

APQ04SN60A - Транзистор полевой MOSFET структуры N

Тип исполнения: с выводами для монтажа в плату через отверстия (PTH)
Корпус: TO-220

Основные характеристики:

Максимальная рассеиваемая мощность стока, Pd: 100 Вт
Максимальное напряжение сток-исток, Vds: 600 В
Максимальное напряжение затвор-исток, Vgs: 30 В
Пороговое напряжение включения, Vgs(th): 4 В
Максимальный постоянный ток стока, Id: 4 А
Сопротивление открытого перехода сток-исток, Rds: 2.3 Ом
Общий заряд затвора, Qg: -
Время нарастания импульса открытия, Tr: 50 нС
Входная емкость (затвор-исток), Ci: 67 пФ
Максимальная рабочая температура канала, Tj: 150 гр.Ц

Транзистор APQ04SN60A можно заменить на:

НАЗВАНИЕ	ТИП	СТР.	Pd, Вт	Vds, В	Vgs, В	Vgsth, В	Id, А	Rds, Ом	Qg, нКл	Tr, нС	Ci, пФ	Tj, гр.Ц	КОРПУС
AOB7S65	SMD	N	104	650	30	4	7	0.65	-	14	30	150	TO-263
AOB7S65L	SMD	N	104	650	30	4	7	0.65	-	14	30	150	TO-263
AOW7S65	PTH	N	104	650	30	4	7	0.65	-	14	30	150	TO-262
APQ04SN60CA	PTH	N	100	600	30	4	4	2.3	-	36	67	150	TO-251
APQ04SN60CB	SMD	N	100	600	30	4	4	2.3	-	36	67	150	TO-252
APQ04SN60CE	SMD	N	100	600	30	4	4	2.3	-	36	67	150	TO-263
APQ04SN60CH	PTH	N	100	600	30	4	4	2.3	-	36	67	150	TO-220
APQ05SN60A	PTH	N	100	600	30	4	5	2	-	45	65	150	TO-220
FQB6N60CTM	SMD	N	125	600	30	4	5.5	2	16	45	65	150	D2PAK
FQI6N60CTU	PTH	N	125	600	30	4	5.5	2	16	45	65	150	I2PAK