Справочник электронных компонентов

Транзистор APQ07SN60AF

APQ07SN60AF - Транзистор полевой MOSFET структуры N

Основные характеристики:

Транзистор APQ07SN60AF можно заменить на:

НАЗВАНИЕ ТИП СТР. Pd, Вт Vds, В Vgs, В Vgsth, В Id, А Rds, Ом Qg, нКл Tr, нС Ci, пФ Tj, гр.Ц КОРПУС
AOB11S65 SMD N 198 650 30 4 11 0.399 - 20 42 150 TO-263
AOB11S65L SMD N 198 650 30 4 11 0.399 - 20 42 150 TO-263
AOB15S65 SMD N 208 650 30 4 15 0.29 - 24 58 150 TO-263
AOB15S65L SMD N 208 650 30 4 15 0.29 - 24 58 150 TO-263
AOB7S65 SMD N 104 650 30 4 7 0.65 - 14 30 150 TO-263
AOB7S65L SMD N 104 650 30 4 7 0.65 - 14 30 150 TO-263
AOD7S65 SMD N 89 650 30 4 7 0.65 - 14 30 150 TO-252
AOI7S65 PTH N 89 650 30 4 7 0.65 - 14 30 150 TO-251A
AOT11S65 PTH N 198 650 30 4 11 0.399 - 20 42 150 TO-220
AOT11S65L PTH N 198 650 30 4 11 0.399 - 20 42 150 TO-220
AOTF15S65 PTH N 50 650 30 4 15 0.29 - 24 58 150 TO-220F
AOU7S65 PTH N 89 650 30 4 7 0.65 - 14 30 150 TO-251
AOW11S65 PTH N 198 650 30 4 11 0.399 - 20 42 150 TO-262
AOW15S65 PTH N 208 650 30 4 15 0.29 - 24 58 150 TO-262
AOW7S65 PTH N 104 650 30 4 7 0.65 - 14 30 150 TO-262
AP65WN770P PTH N 138.8 650 30 4 10 0.77 - 36 80 150 TO-220
APQ07SN60AH PTH N 152 600 30 4 7 1.1 - 48 115 150 TO-220
MMD70R600PRH SMD N 71 700 30 4 7.3 0.6 23 27.6 34.9 150 TO-252
SIHB12N65E SMD N 156 650 30 4 12 0.38 35 19 65 150 TO-263
SIHB6N65E SMD N 78 650 30 4 7 0.6 24 12 40 150 TO-263
SIHD6N65E SMD N 78 650 30 4 7 0.6 24 12 40 150 TO-252
SIHH11N60E SMD N 114 600 30 4 11 0.339 31 21 56 150 PowerPAK8X8
SIHH14N60E SMD N 147 600 30 4 16 0.255 41 21 74 150 PowerPAK8X8
SIHP12N65E PTH N 156 650 30 4 12 0.38 35 19 65 150 TO-220AB
SIHP6N65E PTH N 78 650 30 4 7 0.6 24 12 40 150 TO-220AB
SIHU6N65E PTH N 78 650 30 4 7 0.6 24 12 40 150 TO-251