Справочник электронных компонентов

Транзистор APQ10SN65AF

APQ10SN65AF - Транзистор полевой MOSFET структуры N

Основные характеристики:

Транзистор APQ10SN65AF можно заменить на:

НАЗВАНИЕ ТИП СТР. Pd, Вт Vds, В Vgs, В Vgsth, В Id, А Rds, Ом Qg, нКл Tr, нС Ci, пФ Tj, гр.Ц КОРПУС
AFN12N65T220T PTH N 225 650 30 4 12 0.8 24.15 61.67 155 150 TO-220
AOB11S65 SMD N 198 650 30 4 11 0.399 - 20 42 150 TO-263
AOB11S65L SMD N 198 650 30 4 11 0.399 - 20 42 150 TO-263
AOB15S65 SMD N 208 650 30 4 15 0.29 - 24 58 150 TO-263
AOB15S65L SMD N 208 650 30 4 15 0.29 - 24 58 150 TO-263
AOB25S65 SMD N 357 650 30 4 25 0.19 - 30 87 150 TO-263
AOB25S65L SMD N 357 650 30 4 25 0.19 - 30 87 150 TO-263
AOT11S65 PTH N 198 650 30 4 11 0.399 - 20 42 150 TO-220
AOT11S65L PTH N 198 650 30 4 11 0.399 - 20 42 150 TO-220
AOT25S65 PTH N 357 650 30 4 25 0.19 - 30 87 150 TO-220
AOT25S65L PTH N 357 650 30 4 25 0.19 - 30 87 150 TO-220
AOW11S65 PTH N 198 650 30 4 11 0.399 - 20 42 150 TO-262
AOW15S65 PTH N 208 650 30 4 15 0.29 - 24 58 150 TO-262
AOW25S65 PTH N 357 650 30 4 25 0.19 - 30 87 150 TO-262
AP65WN770P PTH N 138.8 650 30 4 10 0.77 - 36 80 150 TO-220
APQ10SN65AH PTH N 162 650 30 4 10 0.9 - 70 160 150 TO-220
CS10N65A8HD PTH N 130 650 30 4 10 0.85 39 25 155 150 TO-220AB
CS10N70A8D PTH N 130 700 30 4 10 0.9 39 25 155 150 TO-220AB
SIHB12N65E SMD N 156 650 30 4 12 0.38 35 19 65 150 TO-263
SIHB22N65E SMD N 227 650 30 4 22 0.18 73 33 118 150 TO-263
SIHG22N65E PTH N 227 650 30 4 22 0.18 73 33 118 150 TO-247AC
SIHP12N65E PTH N 156 650 30 4 12 0.38 35 19 65 150 TO-220AB
SIHP22N65E PTH N 227 650 30 4 22 0.18 73 33 118 150 TO-220AB