Справочник электронных компонентов

Транзистор APQ12SN60AF

APQ12SN60AF - Транзистор полевой MOSFET структуры N

Основные характеристики:

Транзистор APQ12SN60AF можно заменить на:

НАЗВАНИЕ ТИП СТР. Pd, Вт Vds, В Vgs, В Vgsth, В Id, А Rds, Ом Qg, нКл Tr, нС Ci, пФ Tj, гр.Ц КОРПУС
AOB15S65 SMD N 208 650 30 4 15 0.29 - 24 58 150 TO-263
AOB15S65L SMD N 208 650 30 4 15 0.29 - 24 58 150 TO-263
AOB25S65 SMD N 357 650 30 4 25 0.19 - 30 87 150 TO-263
AOB25S65L SMD N 357 650 30 4 25 0.19 - 30 87 150 TO-263
AOB27S60 SMD N 357 600 30 4 27 0.16 - 33 80 150 TO-263
AOB27S60L SMD N 357 600 30 4 27 0.16 - 33 80 150 TO-263
AOK27S60L PTH N 357 600 30 4 27 0.16 - 33 80 150 TO-247
AOT25S65 PTH N 357 650 30 4 25 0.19 - 30 87 150 TO-220
AOT25S65L PTH N 357 650 30 4 25 0.19 - 30 87 150 TO-220
AOT27S60L PTH N 357 600 30 4 27 0.16 - 33 80 150 TO-220
AOW15S65 PTH N 208 650 30 4 15 0.29 - 24 58 150 TO-262
AOW25S65 PTH N 357 650 30 4 25 0.19 - 30 87 150 TO-262
APQ12SN60A PTH N 225 600 30 4 12 0.65 - 83 180 150 TO-220
APQ12SN60AH PTH N 225 600 30 4 12 0.65 - 83 180 150 TO-220
MSF14N60 PTH N 60 600 30 4 14 0.55 - 10 180 150 TO-220F
SIHB12N65E SMD N 156 650 30 4 12 0.38 35 19 65 150 TO-263
SIHB22N65E SMD N 227 650 30 4 22 0.18 73 33 118 150 TO-263
SIHB23N60E SMD N 227 600 30 4 23 0.158 63 38 119 150 TO-263
SIHG22N60E PTH N 227 600 30 4 21 0.18 57 27 90 150 TO-247AC
SIHG22N65E PTH N 227 650 30 4 22 0.18 73 33 118 150 TO-247AC
SIHG23N60E PTH N 227 600 30 4 23 0.158 63 38 119 150 TO-247AC
SIHH14N60E SMD N 147 600 30 4 16 0.255 41 21 74 150 PowerPAK8X8
SIHH21N60E SMD N 104 600 30 4 20 0.176 55 32 93 150 PowerPAK8X8
SIHH26N60E SMD N 202 600 30 4 25 0.135 77 54 125 150 PowerPAK8X8
SIHP12N65E PTH N 156 650 30 4 12 0.38 35 19 65 150 TO-220AB
SIHP22N65E PTH N 227 650 30 4 22 0.18 73 33 118 150 TO-220AB
SIHP23N60E PTH N 227 600 30 4 23 0.158 63 38 119 150 TO-220AB
TMAN20N60 PTH N 347 600 30 4 20 0.33 76 63 146 150 TO-3PN