Справочник электронных компонентов

Транзистор APQ5ESN40AH

APQ5ESN40AH - Транзистор полевой MOSFET структуры N

Тип исполнения: с выводами для монтажа в плату через отверстия (PTH)
Корпус: TO-220

Основные характеристики:

Максимальная рассеиваемая мощность стока, Pd: 73 Вт
Максимальное напряжение сток-исток, Vds: 400 В
Максимальное напряжение затвор-исток, Vgs: 30 В
Пороговое напряжение включения, Vgs(th): 4 В
Максимальный постоянный ток стока, Id: 5.5 А
Сопротивление открытого перехода сток-исток, Rds: 1 Ом
Общий заряд затвора, Qg: -
Время нарастания импульса открытия, Tr: 15 нС
Входная емкость (затвор-исток), Ci: 170 пФ
Максимальная рабочая температура канала, Tj: 150 гр.Ц

Транзистор APQ5ESN40AH можно заменить на:

НАЗВАНИЕ	ТИП	СТР.	Pd, Вт	Vds, В	Vgs, В	Vgsth, В	Id, А	Rds, Ом	Qg, нКл	Tr, нС	Ci, пФ	Tj, гр.Ц	КОРПУС
APQ5ESN40A	PTH	N	73	400	30	4	5.5	1	-	15	170	150	TO-220
CS730A3RD	PTH	N	75	400	30	4	6	1	14.5	11	68	150	TO-251
CS730A4RD	SMD	N	75	400	30	4	6	1	14.5	11	68	150	TO-252
SIHB6N65E	SMD	N	78	650	30	4	7	0.6	24	12	40	150	TO-263
SIHD6N62E	SMD	N	78	620	30	4	6	0.9	17	10	36	150	TO-252
SIHD6N65E	SMD	N	78	650	30	4	7	0.6	24	12	40	150	TO-252
SIHP6N65E	PTH	N	78	650	30	4	7	0.6	24	12	40	150	TO-220AB
SIHU6N62E	PTH	N	78	620	30	4	6	0.9	17	10	36	150	TO-251
SIHU6N65E	PTH	N	78	650	30	4	7	0.6	24	12	40	150	TO-251
TSM8N50CH	PTH	N	89	500	30	4	7.2	0.85	26.6	6.8	127.4	150	TO-251
TSM8N50CP	SMD	N	89	500	30	4	7.2	0.85	26.6	6.8	127.4	150	TO-252