Справочник электронных компонентов

Транзистор APT1001R1HN

APT1001R1HN - Транзистор полевой MOSFET структуры N

Основные характеристики:

Транзистор APT1001R1HN можно заменить на:

НАЗВАНИЕ ТИП СТР. Pd, Вт Vds, В Vgs, В Vgsth, В Id, А Rds, Ом Qg, нКл Tr, нС Ci, пФ Tj, гр.Ц КОРПУС
APT1001R1BN PTH N 310 1000 30 4 10.5 1.1 90 11 280 150 TO-247
APT1001RBLC PTH N 280 1000 30 - 11 1 - 11 280 150 TO-247
APT1001RBVFR PTH N 278 1000 30 - 11 1 150 11 280 150 TO-247
APT1001RBVR PTH N 280 1000 30 - 11 1 150 11 280 150 TO-247
APT1001RSLC SMD N 280 1000 30 - 11 1 - 11 280 150 D3PAK
APT1001RSVFR SMD N 278 1000 30 4 11 1 150 11 280 150 D3PAK
APT1001RSVR SMD N 280 1000 30 - 11 1 - 11 280 150 D3PAK
APT1001RSVRG SMD N 280 1000 30 4 11 1 150 11 280 150 D3PAK
SML100B11F PTH N 280 1000 30 4 11 1 150 11 270 150 TO-247AD
STWA12N120K5 PTH N 250 1200 30 5 12 0.69 44.2 11 110 150 TO-247