Справочник электронных компонентов

Транзистор APT1001R3BN

APT1001R3BN - Транзистор полевой MOSFET структуры N

Основные характеристики:

Транзистор APT1001R3BN можно заменить на:

НАЗВАНИЕ ТИП СТР. Pd, Вт Vds, В Vgs, В Vgsth, В Id, А Rds, Ом Qg, нКл Tr, нС Ci, пФ Tj, гр.Ц КОРПУС
APT1001R1BN PTH N 310 1000 30 4 10.5 1.1 90 11 280 150 TO-247
APT1001RBN PTH N 310 1000 30 4 11 1 90 - - 150 TO-247
IXFH12N100P PTH N 463 1000 30 5 12 1.05 80 300 - 150 TO-247
IXFH14N100Q2 PTH N 500 1000 30 5.5 14 0.95 83 300 - 150 TO-247
IXFH15N100Q3 PTH N 690 1000 30 6.5 15 1.05 64 250 - 150 TO-247
IXFH18N100Q3 PTH N 830 1000 30 6.5 18 0.66 90 32 400 150 TO-247
IXFR15N100Q3 PTH N 400 1000 30 6.5 10 1.2 64 250 - 150 ISOPLUS247
IXFT15N100Q3 SMD N 690 1000 30 6.5 15 1.05 64 250 - 150 TO-268
IXFT18N100Q3 SMD N 830 1000 30 6.5 18 0.66 90 32 400 150 TO-268