Справочник электронных компонентов

Транзистор APT1002RCN

APT1002RCN - Транзистор полевой MOSFET структуры N

Основные характеристики:

Транзистор APT1002RCN можно заменить на:

НАЗВАНИЕ ТИП СТР. Pd, Вт Vds, В Vgs, В Vgsth, В Id, А Rds, Ом Qg, нКл Tr, нС Ci, пФ Tj, гр.Ц КОРПУС
APT1001R6BFLLG PTH N 266 1000 30 5 8 1.6 55 18 230 150 TO-247
APT1001R6BN PTH N 240 1000 30 - 8 1.6 66 13 230 150 TO-247
APT1001R6SFLLG SMD N 266 1000 30 5 8 1.6 55 18 230 150 D3PAK
APT8M100B PTH N 290 1000 30 5 8 1.8 60 7.8 160 150 TO-247
APT8M100S SMD N 290 1000 30 5 8 1.8 60 7.8 160 150 D3PAK
FQA8N100C PTH N 225 1000 30 5 8 1.45 53 - - 150 TO-3PN
FQH8N100C PTH N 225 1000 30 5 8 1.45 53 - - 150 TO-247,TO-3P,TO-3PF
IXFA7N100P SMD N 300 1000 30 6 7 1.9 47 300 - 150 TO-263
IXFH10N100P PTH N 380 1000 30 6.5 10 1.4 56 300 - 150 TO-247
IXFH15N100Q3 PTH N 690 1000 30 6.5 15 1.05 64 250 - 150 TO-247
IXFP7N100P PTH N 300 1000 30 6 7 1.9 47 300 - 150 TO-220
IXFR15N100Q3 PTH N 400 1000 30 6.5 10 1.2 64 250 - 150 ISOPLUS247
IXFT15N100Q3 SMD N 690 1000 30 6.5 15 1.05 64 250 - 150 TO-268
STP12N120K5 PTH N 250 1200 30 5 12 0.69 49 - - 150 TO-220
STW12N120K5 PTH N 250 1200 30 5 12 0.69 49 - - 150 TO-247
STWA12N120K5 PTH N 250 1200 30 5 12 0.69 44.2 11 110 150 TO-247