Транзистор APT1004RBN
APT1004RBN - Транзистор полевой MOSFET структуры N
- Тип исполнения: с выводами для монтажа в плату через отверстия (PTH)
- Корпус: TO-247
Основные характеристики:
- Максимальная рассеиваемая мощность стока, Pd: 180 Вт
- Максимальное напряжение сток-исток, Vds: 1000 В
- Максимальное напряжение затвор-исток, Vgs: 30 В
- Пороговое напряжение включения, Vgs(th): -
- Максимальный постоянный ток стока, Id: 4.4 А
- Сопротивление открытого перехода сток-исток, Rds: 4 Ом
- Общий заряд затвора, Qg: 35 нКл
- Время нарастания импульса открытия, Tr: -
- Входная емкость (затвор-исток), Ci: -
- Максимальная рабочая температура канала, Tj: 150 гр.Ц
Транзистор APT1004RBN можно заменить на:
| НАЗВАНИЕ |
ТИП |
СТР. |
Pd, Вт |
Vds, В |
Vgs, В |
Vgsth, В |
Id, А |
Rds, Ом |
Qg, нКл |
Tr, нС |
Ci, пФ |
Tj, гр.Ц |
КОРПУС |
| IXFA5N100P |
SMD |
N |
250 |
1000 |
30 |
6 |
5 |
2.8 |
33.4 |
200 |
- |
150 |
TO-263 |
| IXFP5N100P |
PTH |
N |
250 |
1000 |
30 |
6 |
5 |
2.8 |
33.4 |
200 |
- |
150 |
TO-220 |