Транзистор APT10050JN
APT10050JN - Транзистор полевой MOSFET структуры N
- Тип исполнения: в корпусе типа силовой Модуль
- Корпус: ISOTOP
Основные характеристики:
- Максимальная рассеиваемая мощность стока, Pd: 520 Вт
- Максимальное напряжение сток-исток, Vds: 1000 В
- Максимальное напряжение затвор-исток, Vgs: 30 В
- Пороговое напряжение включения, Vgs(th): -
- Максимальный постоянный ток стока, Id: 20.5 А
- Сопротивление открытого перехода сток-исток, Rds: 0.5 Ом
- Общий заряд затвора, Qg: 235 нКл
- Время нарастания импульса открытия, Tr: 15 нС
- Входная емкость (затвор-исток), Ci: 710 пФ
- Максимальная рабочая температура канала, Tj: 150 гр.Ц
Транзистор APT10050JN можно заменить на:
| НАЗВАНИЕ |
ТИП |
СТР. |
Pd, Вт |
Vds, В |
Vgs, В |
Vgsth, В |
Id, А |
Rds, Ом |
Qg, нКл |
Tr, нС |
Ci, пФ |
Tj, гр.Ц |
КОРПУС |
| APT10045B2FLLG |
PTH |
N |
565 |
1000 |
30 |
5 |
23 |
0.46 |
154 |
5 |
715 |
150 |
TMAX |
| APT10045B2LLG |
PTH |
N |
565 |
1000 |
30 |
5 |
23 |
0.45 |
154 |
5 |
715 |
150 |
TMAX |
| APT10045LFLLG |
PTH |
N |
565 |
1000 |
30 |
5 |
23 |
0.46 |
154 |
5 |
715 |
150 |
TO-264 |
| APT10045LLLG |
PTH |
N |
565 |
1000 |
30 |
5 |
23 |
0.45 |
154 |
5 |
715 |
150 |
TO-264 |