Транзистор APT100M50J
APT100M50J - Транзистор полевой MOSFET структуры N
- Тип исполнения: в корпусе типа силовой Модуль
- Корпус: ISOTOP
Основные характеристики:
- Максимальная рассеиваемая мощность стока, Pd: 960 Вт
- Максимальное напряжение сток-исток, Vds: 500 В
- Максимальное напряжение затвор-исток, Vgs: 30 В
- Пороговое напряжение включения, Vgs(th): 5 В
- Максимальный постоянный ток стока, Id: 103 А
- Сопротивление открытого перехода сток-исток, Rds: 0.036 Ом
- Общий заряд затвора, Qg: 620 нКл
- Время нарастания импульса открытия, Tr: 125 нС
- Входная емкость (затвор-исток), Ci: 2645 пФ
- Максимальная рабочая температура канала, Tj: 150 гр.Ц
Транзистор APT100M50J можно заменить на:
| НАЗВАНИЕ |
ТИП |
СТР. |
Pd, Вт |
Vds, В |
Vgs, В |
Vgsth, В |
Id, А |
Rds, Ом |
Qg, нКл |
Tr, нС |
Ci, пФ |
Tj, гр.Ц |
КОРПУС |
| APT100F50J |
Модуль |
N |
960 |
500 |
30 |
5 |
103 |
0.036 |
620 |
125 |
2645 |
150 |
ISOTOP |