Транзистор APT10M11B2VR
APT10M11B2VR - Транзистор полевой MOSFET структуры N
- Тип исполнения: с выводами для монтажа в плату через отверстия (PTH)
- Корпус: TO-247
Основные характеристики:
- Максимальная рассеиваемая мощность стока, Pd: 520 Вт
- Максимальное напряжение сток-исток, Vds: 100 В
- Максимальное напряжение затвор-исток, Vgs: 30 В
- Пороговое напряжение включения, Vgs(th): -
- Максимальный постоянный ток стока, Id: 100 А
- Сопротивление открытого перехода сток-исток, Rds: 0.011 Ом
- Общий заряд затвора, Qg: -
- Время нарастания импульса открытия, Tr: 33 нС
- Входная емкость (затвор-исток), Ci: 3200 пФ
- Максимальная рабочая температура канала, Tj: 150 гр.Ц
Транзистор APT10M11B2VR можно заменить на:
| НАЗВАНИЕ |
ТИП |
СТР. |
Pd, Вт |
Vds, В |
Vgs, В |
Vgsth, В |
Id, А |
Rds, Ом |
Qg, нКл |
Tr, нС |
Ci, пФ |
Tj, гр.Ц |
КОРПУС |
| APT10M11B2VFRG |
PTH |
N |
520 |
100 |
30 |
4 |
100 |
0.011 |
300 |
33 |
3200 |
150 |
TMAX |
| APT10M11LVFRG |
PTH |
N |
520 |
100 |
30 |
4 |
100 |
0.011 |
300 |
33 |
3200 |
150 |
TO-264 |
| APT10M11LVR |
PTH |
N |
520 |
100 |
30 |
- |
100 |
0.011 |
300 |
33 |
3200 |
150 |
TO-264 |