Справочник электронных компонентов

Транзистор APT10M19SVR

APT10M19SVR - Транзистор полевой MOSFET структуры N

Тип исполнения: для поверхностного монтажа на плату (SMD)
Корпус: D3PAK

Основные характеристики:

Максимальная рассеиваемая мощность стока, Pd: 370 Вт
Максимальное напряжение сток-исток, Vds: 100 В
Максимальное напряжение затвор-исток, Vgs: 30 В
Пороговое напряжение включения, Vgs(th): -
Максимальный постоянный ток стока, Id: 75 А
Сопротивление открытого перехода сток-исток, Rds: 0.019 Ом
Общий заряд затвора, Qg: -
Время нарастания импульса открытия, Tr: 40 нС
Входная емкость (затвор-исток), Ci: 1900 пФ
Максимальная рабочая температура канала, Tj: 150 гр.Ц

Транзистор APT10M19SVR можно заменить на:

НАЗВАНИЕ	ТИП	СТР.	Pd, Вт	Vds, В	Vgs, В	Vgsth, В	Id, А	Rds, Ом	Qg, нКл	Tr, нС	Ci, пФ	Tj, гр.Ц	КОРПУС
APT10M19BVFR	PTH	N	370	100	30	-	75	0.019	200	40	1900	150	TO-247
APT10M19BVFRG	PTH	N	370	100	30	4	75	0.019	200	40	1900	150	TO-247
APT10M19BVR	PTH	N	370	100	30	-	75	0.019	-	40	1900	150	TO-247
APT10M19BVRG	PTH	N	370	100	30	4	75	0.019	200	40	1900	150	TO-247
APT10M19SVFR	SMD	N	370	100	30	4	75	0.019	200	40	1900	150	D3PAK
APT10M19SVFRG	SMD	N	370	100	30	4	75	0.019	200	40	1900	150	D3PAK