Транзистор APT10M25SVR
APT10M25SVR - Транзистор полевой MOSFET структуры N
- Тип исполнения: для поверхностного монтажа на плату (SMD)
- Корпус: D3PAK
Основные характеристики:
- Максимальная рассеиваемая мощность стока, Pd: 300 Вт
- Максимальное напряжение сток-исток, Vds: 100 В
- Максимальное напряжение затвор-исток, Vgs: 30 В
- Пороговое напряжение включения, Vgs(th): -
- Максимальный постоянный ток стока, Id: 75 А
- Сопротивление открытого перехода сток-исток, Rds: 0.025 Ом
- Общий заряд затвора, Qg: 150 нКл
- Время нарастания импульса открытия, Tr: 22 нС
- Входная емкость (затвор-исток), Ci: 1600 пФ
- Максимальная рабочая температура канала, Tj: 150 гр.Ц
Транзистор APT10M25SVR можно заменить на:
| НАЗВАНИЕ |
ТИП |
СТР. |
Pd, Вт |
Vds, В |
Vgs, В |
Vgsth, В |
Id, А |
Rds, Ом |
Qg, нКл |
Tr, нС |
Ci, пФ |
Tj, гр.Ц |
КОРПУС |
| SM1F01NF |
PTH |
N |
300 |
150 |
30 |
4 |
80 |
0.016 |
110 |
18 |
600 |
175 |
TO-220 |