Транзистор APT11F80S
APT11F80S - Транзистор полевой MOSFET структуры N
- Тип исполнения: для поверхностного монтажа на плату (SMD)
- Корпус: D3PAK
Основные характеристики:
- Максимальная рассеиваемая мощность стока, Pd: 337 Вт
- Максимальное напряжение сток-исток, Vds: 800 В
- Максимальное напряжение затвор-исток, Vgs: 30 В
- Пороговое напряжение включения, Vgs(th): 5 В
- Максимальный постоянный ток стока, Id: 12 А
- Сопротивление открытого перехода сток-исток, Rds: 0.9 Ом
- Общий заряд затвора, Qg: 80 нКл
- Время нарастания импульса открытия, Tr: 20 нС
- Входная емкость (затвор-исток), Ci: 246 пФ
- Максимальная рабочая температура канала, Tj: 150 гр.Ц
Транзистор APT11F80S можно заменить на:
| НАЗВАНИЕ |
ТИП |
СТР. |
Pd, Вт |
Vds, В |
Vgs, В |
Vgsth, В |
Id, А |
Rds, Ом |
Qg, нКл |
Tr, нС |
Ci, пФ |
Tj, гр.Ц |
КОРПУС |
| APT11F80B |
PTH |
N |
337 |
800 |
30 |
5 |
12 |
0.9 |
80 |
20 |
246 |
150 |
TO-247 |
| APT12M80B |
PTH |
N |
335 |
800 |
30 |
5 |
13 |
0.8 |
80 |
20 |
245 |
150 |
TO-247 |
| APT12M80S |
SMD |
N |
335 |
800 |
30 |
5 |
13 |
0.8 |
80 |
20 |
245 |
150 |
D3PAK |