Справочник электронных компонентов

Транзистор APT19F100J

APT19F100J - Транзистор полевой MOSFET структуры N

Тип исполнения: в корпусе типа силовой Модуль
Корпус: ISOTOP

Основные характеристики:

Максимальная рассеиваемая мощность стока, Pd: 460 Вт
Максимальное напряжение сток-исток, Vds: 1000 В
Максимальное напряжение затвор-исток, Vgs: 30 В
Пороговое напряжение включения, Vgs(th): 5 В
Максимальный постоянный ток стока, Id: 20 А
Сопротивление открытого перехода сток-исток, Rds: 0.44 Ом
Общий заряд затвора, Qg: 260 нКл
Время нарастания импульса открытия, Tr: 37 нС
Входная емкость (затвор-исток), Ci: 715 пФ
Максимальная рабочая температура канала, Tj: 150 гр.Ц

Транзистор APT19F100J можно заменить на:

НАЗВАНИЕ	ТИП	СТР.	Pd, Вт	Vds, В	Vgs, В	Vgsth, В	Id, А	Rds, Ом	Qg, нКл	Tr, нС	Ci, пФ	Tj, гр.Ц	КОРПУС
APT21M100J	Модуль	N	462	1000	30	5	21	0.38	260	35	700	150	ISOTOP
APT29F100B2	PTH	N	1040	1000	30	5	30	0.44	260	35	715	150	TMAX
APT29F100L	PTH	N	1040	1000	30	5	30	0.44	260	35	715	150	TO-264
APT31M100B2	PTH	N	1040	1000	30	5	32	0.38	260	35	700	150	TMAX
APT31M100L	PTH	N	1040	1000	30	5	32	0.38	260	35	700	150	TO-264