Транзистор APT20M11JVFR
APT20M11JVFR - Транзистор полевой MOSFET структуры N
- Тип исполнения: в корпусе типа силовой Модуль
- Корпус: ISOTOP
Основные характеристики:
- Максимальная рассеиваемая мощность стока, Pd: 700 Вт
- Максимальное напряжение сток-исток, Vds: 200 В
- Максимальное напряжение затвор-исток, Vgs: 30 В
- Пороговое напряжение включения, Vgs(th): 4 В
- Максимальный постоянный ток стока, Id: 175 А
- Сопротивление открытого перехода сток-исток, Rds: 0.011 Ом
- Общий заряд затвора, Qg: -
- Время нарастания импульса открытия, Tr: 40 нС
- Входная емкость (затвор-исток), Ci: 4100 пФ
- Максимальная рабочая температура канала, Tj: 150 гр.Ц
Транзистор APT20M11JVFR можно заменить на:
| НАЗВАНИЕ |
ТИП |
СТР. |
Pd, Вт |
Vds, В |
Vgs, В |
Vgsth, В |
Id, А |
Rds, Ом |
Qg, нКл |
Tr, нС |
Ci, пФ |
Tj, гр.Ц |
КОРПУС |
| APT20M11JVR |
Модуль |
N |
700 |
200 |
30 |
4 |
175 |
0.011 |
- |
40 |
4100 |
150 |
ISOTOP |