Транзистор APT32M80J
APT32M80J - Транзистор полевой MOSFET структуры N
- Тип исполнения: в корпусе типа силовой Модуль
- Корпус: ISOTOP
Основные характеристики:
- Максимальная рассеиваемая мощность стока, Pd: 543 Вт
- Максимальное напряжение сток-исток, Vds: 800 В
- Максимальное напряжение затвор-исток, Vgs: 30 В
- Пороговое напряжение включения, Vgs(th): 5 В
- Максимальный постоянный ток стока, Id: 33 А
- Сопротивление открытого перехода сток-исток, Rds: 0.19 Ом
- Общий заряд затвора, Qg: 303 нКл
- Время нарастания импульса открытия, Tr: 76 нС
- Входная емкость (затвор-исток), Ci: 927 пФ
- Максимальная рабочая температура канала, Tj: 150 гр.Ц
Транзистор APT32M80J можно заменить на:
| НАЗВАНИЕ |
ТИП |
СТР. |
Pd, Вт |
Vds, В |
Vgs, В |
Vgsth, В |
Id, А |
Rds, Ом |
Qg, нКл |
Tr, нС |
Ci, пФ |
Tj, гр.Ц |
КОРПУС |
| APT48M80B2 |
PTH |
N |
1135 |
800 |
30 |
5 |
49 |
0.19 |
305 |
75 |
930 |
150 |
TMAX |
| APT48M80L |
PTH |
N |
1135 |
800 |
30 |
5 |
49 |
0.19 |
305 |
75 |
930 |
150 |
TO-264 |