Транзистор APT5010JVRU2
APT5010JVRU2 - Транзистор полевой MOSFET структуры N
- Тип исполнения: в корпусе типа силовой Модуль
- Корпус: ISOTOP
Основные характеристики:
- Максимальная рассеиваемая мощность стока, Pd: 450 Вт
- Максимальное напряжение сток-исток, Vds: 500 В
- Максимальное напряжение затвор-исток, Vgs: 30 В
- Пороговое напряжение включения, Vgs(th): 4 В
- Максимальный постоянный ток стока, Id: 44 А
- Сопротивление открытого перехода сток-исток, Rds: 0.1 Ом
- Общий заряд затвора, Qg: -
- Время нарастания импульса открытия, Tr: 16 нС
- Входная емкость (затвор-исток), Ci: 1050 пФ
- Максимальная рабочая температура канала, Tj: 150 гр.Ц
Транзистор APT5010JVRU2 можно заменить на:
| НАЗВАНИЕ |
ТИП |
СТР. |
Pd, Вт |
Vds, В |
Vgs, В |
Vgsth, В |
Id, А |
Rds, Ом |
Qg, нКл |
Tr, нС |
Ci, пФ |
Tj, гр.Ц |
КОРПУС |
| APT5010JVRU3 |
Модуль |
N |
450 |
500 |
30 |
4 |
44 |
0.1 |
- |
16 |
1050 |
150 |
ISOTOP |
| SML50J10RU2 |
Модуль |
N |
450 |
500 |
30 |
4 |
44 |
0.1 |
312 |
16 |
1050 |
150 |
ISOTOP |
| SML50J44F |
Модуль |
N |
450 |
500 |
30 |
4 |
44 |
0.1 |
312 |
16 |
1000 |
150 |
ISOTOP |
| SML50L47F |
PTH |
N |
520 |
500 |
30 |
4 |
47 |
0.1 |
312 |
16 |
1000 |
150 |
TO-264AA |