Транзистор APT5012JN

APT5012JN - Транзистор полевой MOSFET структуры N

• Тип исполнения: в корпусе типа силовой Модуль
• Корпус: ISOTOP

Основные характеристики:

• Максимальная рассеиваемая мощность стока, Pd: 520 Вт
• Максимальное напряжение сток-исток, Vds: 500 В
• Максимальное напряжение затвор-исток, Vgs: 30 В
• Пороговое напряжение включения, Vgs(th): 4 В
• Максимальный постоянный ток стока, Id: 43 А
• Сопротивление открытого перехода сток-исток, Rds: 0.12 Ом
• Общий заряд затвора, Qg: 240 нКл
• Время нарастания импульса открытия, Tr: 25 нС
• Входная емкость (затвор-исток), Ci: 1170 пФ
• Максимальная рабочая температура канала, Tj: 150 гр.Ц

Транзистор APT5012JN можно заменить на:

Нет элементов для замены