Транзистор APT50M50JVR
APT50M50JVR - Транзистор полевой MOSFET структуры N
- Тип исполнения: в корпусе типа силовой Модуль
- Корпус: ISOTOP
Основные характеристики:
- Максимальная рассеиваемая мощность стока, Pd: 700 Вт
- Максимальное напряжение сток-исток, Vds: 500 В
- Максимальное напряжение затвор-исток, Vgs: 30 В
- Пороговое напряжение включения, Vgs(th): -
- Максимальный постоянный ток стока, Id: 77 А
- Сопротивление открытого перехода сток-исток, Rds: 0.05 Ом
- Общий заряд затвора, Qg: -
- Время нарастания импульса открытия, Tr: 20 нС
- Входная емкость (затвор-исток), Ci: 2210 пФ
- Максимальная рабочая температура канала, Tj: 150 гр.Ц
Транзистор APT50M50JVR можно заменить на:
| НАЗВАНИЕ |
ТИП |
СТР. |
Pd, Вт |
Vds, В |
Vgs, В |
Vgsth, В |
Id, А |
Rds, Ом |
Qg, нКл |
Tr, нС |
Ci, пФ |
Tj, гр.Ц |
КОРПУС |
| APT50M50JVFR |
Модуль |
N |
700 |
500 |
30 |
- |
77 |
0.05 |
- |
20 |
2210 |
150 |
ISOTOP |
| APT50M50L2LL |
PTH |
N |
890 |
500 |
30 |
- |
87 |
0.05 |
- |
16 |
2030 |
150 |
TO-264 |