Транзистор APT50M60JN

APT50M60JN - Транзистор полевой MOSFET структуры N

• Тип исполнения: в корпусе типа силовой Модуль
• Корпус: ISOTOP

Основные характеристики:

• Максимальная рассеиваемая мощность стока, Pd: 690 Вт
• Максимальное напряжение сток-исток, Vds: 500 В
• Максимальное напряжение затвор-исток, Vgs: 30 В
• Пороговое напряжение включения, Vgs(th): -
• Максимальный постоянный ток стока, Id: 71 А
• Сопротивление открытого перехода сток-исток, Rds: 0.06 Ом
• Общий заряд затвора, Qg: 475 нКл
• Время нарастания импульса открытия, Tr: 30 нС
• Входная емкость (затвор-исток), Ci: 2230 пФ
• Максимальная рабочая температура канала, Tj: 150 гр.Ц

Транзистор APT50M60JN можно заменить на:

Нет элементов для замены