Транзистор APT50M80B2VR
APT50M80B2VR - Транзистор полевой MOSFET структуры N
- Тип исполнения: с выводами для монтажа в плату через отверстия (PTH)
- Корпус: TMAX
Основные характеристики:
- Максимальная рассеиваемая мощность стока, Pd: 625 Вт
- Максимальное напряжение сток-исток, Vds: 500 В
- Максимальное напряжение затвор-исток, Vgs: 30 В
- Пороговое напряжение включения, Vgs(th): -
- Максимальный постоянный ток стока, Id: 58 А
- Сопротивление открытого перехода сток-исток, Rds: 0.08 Ом
- Общий заряд затвора, Qg: -
- Время нарастания импульса открытия, Tr: 18 нС
- Входная емкость (затвор-исток), Ci: 1160 пФ
- Максимальная рабочая температура канала, Tj: 150 гр.Ц
Транзистор APT50M80B2VR можно заменить на:
| НАЗВАНИЕ |
ТИП |
СТР. |
Pd, Вт |
Vds, В |
Vgs, В |
Vgsth, В |
Id, А |
Rds, Ом |
Qg, нКл |
Tr, нС |
Ci, пФ |
Tj, гр.Ц |
КОРПУС |
| APT50M80B2VFR |
PTH |
N |
625 |
500 |
30 |
- |
58 |
0.08 |
- |
18 |
1160 |
150 |
TMAX |