Справочник электронных компонентов

Транзистор APT50M85JVFR

APT50M85JVFR - Транзистор полевой MOSFET структуры N

Тип исполнения: в корпусе типа силовой Модуль
Корпус: ISOTOP

Основные характеристики:

Максимальная рассеиваемая мощность стока, Pd: 500 Вт
Максимальное напряжение сток-исток, Vds: 500 В
Максимальное напряжение затвор-исток, Vgs: 30 В
Пороговое напряжение включения, Vgs(th): -
Максимальный постоянный ток стока, Id: 50 А
Сопротивление открытого перехода сток-исток, Rds: 0.085 Ом
Общий заряд затвора, Qg: -
Время нарастания импульса открытия, Tr: 17 нС
Входная емкость (затвор-исток), Ci: 1240 пФ
Максимальная рабочая температура канала, Tj: 150 гр.Ц

Транзистор APT50M85JVFR можно заменить на:

НАЗВАНИЕ	ТИП	СТР.	Pd, Вт	Vds, В	Vgs, В	Vgsth, В	Id, А	Rds, Ом	Qg, нКл	Tr, нС	Ci, пФ	Tj, гр.Ц	КОРПУС
APT50M75B2LL	PTH	N	570	500	30	-	57	0.075	-	12	1040	150	TMAX
APT50M80B2LC	PTH	N	625	500	30	-	58	0.08	-	13	1220	150	TMAX
APT50M80JLC	Модуль	N	500	500	30	-	52	0.08	-	13	1220	150	ISOTOP
APT50M85JVR	Модуль	N	500	500	30	-	50	0.085	-	17	1240	150	ISOTOP