Транзистор APT5560AN
APT5560AN - Транзистор полевой MOSFET структуры N
- Тип исполнения: с выводами для монтажа в плату через отверстия (PTH)
- Корпус: TO-3
Основные характеристики:
- Максимальная рассеиваемая мощность стока, Pd: 198 Вт
- Максимальное напряжение сток-исток, Vds: 550 В
- Максимальное напряжение затвор-исток, Vgs: 30 В
- Пороговое напряжение включения, Vgs(th): -
- Максимальный постоянный ток стока, Id: 11.5 А
- Сопротивление открытого перехода сток-исток, Rds: 0.6 Ом
- Общий заряд затвора, Qg: 66 нКл
- Время нарастания импульса открытия, Tr: 18 нС
- Входная емкость (затвор-исток), Ci: 280 пФ
- Максимальная рабочая температура канала, Tj: 150 гр.Ц
Транзистор APT5560AN можно заменить на:
| НАЗВАНИЕ |
ТИП |
СТР. |
Pd, Вт |
Vds, В |
Vgs, В |
Vgsth, В |
Id, А |
Rds, Ом |
Qg, нКл |
Tr, нС |
Ci, пФ |
Tj, гр.Ц |
КОРПУС |
| FMC13N60E |
SMD |
N |
225 |
600 |
30 |
3.5 |
13 |
0.58 |
60 |
8 |
190 |
150 |
T-PACKS |
| FMI13N60E |
PTH |
N |
225 |
600 |
30 |
3.5 |
13 |
0.58 |
60 |
8 |
190 |
150 |
T-PACKL |
| FMP13N60E |
PTH |
N |
225 |
600 |
30 |
3.5 |
13 |
0.58 |
60 |
8 |
190 |
150 |
TO-220AB |
| SSF26NS60A |
SMD |
N |
208 |
600 |
30 |
- |
20 |
0.165 |
52 |
18 |
149 |
150 |
D2PAK |
| STB20N95K5 |
SMD |
N |
250 |
950 |
30 |
5 |
17.5 |
0.33 |
40 |
12 |
80 |
150 |
D2PAK |
| STB25N80K5 |
SMD |
N |
250 |
800 |
30 |
5 |
19.5 |
0.26 |
40 |
13 |
130 |
150 |
D2PAK |
| STP25N80K5 |
PTH |
N |
250 |
800 |
30 |
5 |
19.5 |
0.26 |
40 |
13 |
130 |
150 |
TO-220 |
| STW22N95K5 |
PTH |
N |
250 |
950 |
30 |
5 |
17.5 |
0.33 |
48 |
9 |
140 |
150 |
TO-247 |
| STW23N85K5 |
PTH |
N |
250 |
850 |
30 |
5 |
19 |
0.275 |
38 |
14 |
115 |
150 |
TO-247 |
| STW25N80K5 |
PTH |
N |
250 |
800 |
30 |
5 |
19.5 |
0.26 |
40 |
13 |
130 |
150 |
TO-247 |
| STWA20N95K5 |
PTH |
N |
250 |
950 |
30 |
5 |
17.5 |
0.33 |
40 |
12 |
80 |
150 |
TO-247 |