Справочник электронных компонентов

Транзистор APT6015JN

APT6015JN - Транзистор полевой MOSFET структуры N

Тип исполнения: в корпусе типа силовой Модуль
Корпус: ISOTOP

Основные характеристики:

Максимальная рассеиваемая мощность стока, Pd: 520 Вт
Максимальное напряжение сток-исток, Vds: 600 В
Максимальное напряжение затвор-исток, Vgs: 30 В
Пороговое напряжение включения, Vgs(th): -
Максимальный постоянный ток стока, Id: 38 А
Сопротивление открытого перехода сток-исток, Rds: 0.15 Ом
Общий заряд затвора, Qg: -
Время нарастания импульса открытия, Tr: 24 нС
Входная емкость (затвор-исток), Ci: 1025 пФ
Максимальная рабочая температура канала, Tj: 150 гр.Ц

Транзистор APT6015JN можно заменить на:

НАЗВАНИЕ	ТИП	СТР.	Pd, Вт	Vds, В	Vgs, В	Vgsth, В	Id, А	Rds, Ом	Qg, нКл	Tr, нС	Ci, пФ	Tj, гр.Ц	КОРПУС
APT6011B2VFR	PTH	N	625	600	30	-	49	0.11	-	16	990	150	TMAX
APT6011LVFR	PTH	N	625	600	30	-	49	0.11	-	16	990	150	TO-264
APT6011LVR	PTH	N	625	600	30	-	49	0.11	450	16	990	150	TO-264
APT6013B2FLL	PTH	N	565	600	30	-	43	0.13	-	11	1010	150	TMAX
APT6013B2LL	PTH	N	565	600	30	-	43	0.13	-	11	1010	150	TMAX
APT6015B2VR	PTH	N	520	600	30	-	38	0.15	315	13	900	150	TO-247
APT6015LVFR	PTH	N	520	600	30	-	38	0.15	-	13	900	150	TO-264
APT6015LVR	PTH	N	520	600	30	-	38	0.15	315	13	900	150	TO-264