Транзистор APT8030JN

APT8030JN - Транзистор полевой MOSFET структуры N

• Тип исполнения: в корпусе типа силовой Модуль
• Корпус: ISOTOP

Основные характеристики:

• Максимальная рассеиваемая мощность стока, Pd: 520 Вт
• Максимальное напряжение сток-исток, Vds: 800 В
• Максимальное напряжение затвор-исток, Vgs: 30 В
• Пороговое напряжение включения, Vgs(th): -
• Максимальный постоянный ток стока, Id: 27 А
• Сопротивление открытого перехода сток-исток, Rds: 0.3 Ом
• Общий заряд затвора, Qg: 245 нКл
• Время нарастания импульса открытия, Tr: 14 нС
• Входная емкость (затвор-исток), Ci: 725 пФ
• Максимальная рабочая температура канала, Tj: 150 гр.Ц

Транзистор APT8030JN можно заменить на:

Нет элементов для замены