Справочник электронных компонентов

Транзистор APT8030JVR

APT8030JVR - Транзистор полевой MOSFET структуры N

Тип исполнения: в корпусе типа силовой Модуль
Корпус: ISOTOP

Основные характеристики:

Максимальная рассеиваемая мощность стока, Pd: 450 Вт
Максимальное напряжение сток-исток, Vds: 800 В
Максимальное напряжение затвор-исток, Vgs: 30 В
Пороговое напряжение включения, Vgs(th): -
Максимальный постоянный ток стока, Id: 25 А
Сопротивление открытого перехода сток-исток, Rds: 0.3 Ом
Общий заряд затвора, Qg: -
Время нарастания импульса открытия, Tr: 14 нС
Входная емкость (затвор-исток), Ci: 645 пФ
Максимальная рабочая температура канала, Tj: 150 гр.Ц

Транзистор APT8030JVR можно заменить на:

НАЗВАНИЕ	ТИП	СТР.	Pd, Вт	Vds, В	Vgs, В	Vgsth, В	Id, А	Rds, Ом	Qg, нКл	Tr, нС	Ci, пФ	Tj, гр.Ц	КОРПУС
APT8030B2VFR	PTH	N	520	800	30	-	27	0.3	-	14	645	150	TO-247
APT8030B2VR	PTH	N	520	800	30	-	27	0.3	-	14	645	150	TO-247
APT8030JVFR	Модуль	N	450	800	30	-	25	0.3	-	14	645	150	ISOTOP
APT8030LVFR	PTH	N	520	800	30	-	27	0.3	340	14	645	150	TO-264
APT8030LVR	PTH	N	520	800	30	-	27	0.3	340	14	645	150	TO-264
SML8030LVR	PTH	N	520	800	30	4	27	0.3	340	14	645	150	TO-264
SML80J25F	Модуль	N	450	800	30	4	25	0.3	340	14	645	150	ISOTOP
SML80L27F	PTH	N	520	800	30	4	27	0.3	340	14	645	150	TO-264AA