Транзистор APT8075BN

APT8075BN - Транзистор полевой MOSFET структуры N

• Тип исполнения: с выводами для монтажа в плату через отверстия (PTH)
• Корпус: TO-247

Основные характеристики:

• Максимальная рассеиваемая мощность стока, Pd: 310 Вт
• Максимальное напряжение сток-исток, Vds: 800 В
• Максимальное напряжение затвор-исток, Vgs: 30 В
• Пороговое напряжение включения, Vgs(th): 4 В
• Максимальный постоянный ток стока, Id: 13 А
• Сопротивление открытого перехода сток-исток, Rds: 0.75 Ом
• Общий заряд затвора, Qg: 88 нКл
• Время нарастания импульса открытия, Tr: 18 нС
• Входная емкость (затвор-исток), Ci: 370 пФ
• Максимальная рабочая температура канала, Tj: 150 гр.Ц

Транзистор APT8075BN можно заменить на:

Нет элементов для замены