Транзистор ATP102
ATP102 - Транзистор полевой MOSFET структуры P
- Тип исполнения: для поверхностного монтажа на плату (SMD)
- Корпус: ATPAK
Основные характеристики:
- Максимальная рассеиваемая мощность стока, Pd: 40 Вт
- Максимальное напряжение сток-исток, Vds: 30 В
- Максимальное напряжение затвор-исток, Vgs: 20 В
- Пороговое напряжение включения, Vgs(th): -
- Максимальный постоянный ток стока, Id: 40 А
- Сопротивление открытого перехода сток-исток, Rds: 0.014 Ом
- Общий заряд затвора, Qg: 34 нКл
- Время нарастания импульса открытия, Tr: -
- Входная емкость (затвор-исток), Ci: -
- Максимальная рабочая температура канала, Tj: 150 гр.Ц
Транзистор ATP102 можно заменить на:
| НАЗВАНИЕ |
ТИП |
СТР. |
Pd, Вт |
Vds, В |
Vgs, В |
Vgsth, В |
Id, А |
Rds, Ом |
Qg, нКл |
Tr, нС |
Ci, пФ |
Tj, гр.Ц |
КОРПУС |
| AM60P04-10D |
SMD |
P |
50 |
40 |
20 |
1 |
58 |
0.01 |
15.3 |
12 |
- |
175 |
TO-252 |
| QM3005P |
PTH |
P |
74 |
30 |
20 |
2.5 |
60 |
0.014 |
22 |
73.7 |
310 |
150 |
TO-220 |
| QM3015D |
SMD |
P |
52.1 |
30 |
20 |
2.5 |
57 |
0.0105 |
33 |
17.8 |
508 |
150 |
TO-252 |
| QM4015D |
SMD |
P |
52.1 |
30 |
20 |
2.5 |
52 |
0.013 |
27.9 |
35.2 |
323 |
150 |
TO-252 |
| STD52P3LLH6 |
SMD |
P |
70 |
30 |
20 |
2.5 |
52 |
0.012 |
33 |
112 |
414 |
175 |
DPAK |