Транзистор ATP112
ATP112 - Транзистор полевой MOSFET структуры P
- Тип исполнения: для поверхностного монтажа на плату (SMD)
- Корпус: ATPAK
Основные характеристики:
- Максимальная рассеиваемая мощность стока, Pd: 40 Вт
- Максимальное напряжение сток-исток, Vds: 60 В
- Максимальное напряжение затвор-исток, Vgs: 20 В
- Пороговое напряжение включения, Vgs(th): -
- Максимальный постоянный ток стока, Id: 25 А
- Сопротивление открытого перехода сток-исток, Rds: 0.033 Ом
- Общий заряд затвора, Qg: 33.5 нКл
- Время нарастания импульса открытия, Tr: -
- Входная емкость (затвор-исток), Ci: -
- Максимальная рабочая температура канала, Tj: 150 гр.Ц
Транзистор ATP112 можно заменить на:
| НАЗВАНИЕ |
ТИП |
СТР. |
Pd, Вт |
Vds, В |
Vgs, В |
Vgsth, В |
Id, А |
Rds, Ом |
Qg, нКл |
Tr, нС |
Ci, пФ |
Tj, гр.Ц |
КОРПУС |
| AM90P06-20P |
PTH |
P |
300 |
60 |
20 |
1 |
90 |
0.02 |
22 |
9 |
216 |
175 |
TO-220AB |
| QM6015B |
SMD |
P |
86.8 |
60 |
20 |
2.5 |
45 |
0.025 |
25 |
23.6 |
224 |
150 |
TO-263 |
| QM6015D |
SMD |
P |
52.1 |
60 |
20 |
2.5 |
35 |
0.025 |
25 |
23.6 |
224 |
150 |
TO-252 |
| STD35P6LLF6 |
SMD |
P |
70 |
60 |
20 |
2.5 |
35 |
0.028 |
30 |
39 |
262 |
175 |
DPAK |