Транзистор ATP602
ATP602 - Транзистор полевой MOSFET структуры N
- Тип исполнения: для поверхностного монтажа на плату (SMD)
- Корпус: ATPAK
Основные характеристики:
- Максимальная рассеиваемая мощность стока, Pd: 70 Вт
- Максимальное напряжение сток-исток, Vds: 600 В
- Максимальное напряжение затвор-исток, Vgs: 30 В
- Пороговое напряжение включения, Vgs(th): -
- Максимальный постоянный ток стока, Id: 5 А
- Сопротивление открытого перехода сток-исток, Rds: 2.1 Ом
- Общий заряд затвора, Qg: 13.6 нКл
- Время нарастания импульса открытия, Tr: -
- Входная емкость (затвор-исток), Ci: -
- Максимальная рабочая температура канала, Tj: 150 гр.Ц
Транзистор ATP602 можно заменить на:
| НАЗВАНИЕ |
ТИП |
СТР. |
Pd, Вт |
Vds, В |
Vgs, В |
Vgsth, В |
Id, А |
Rds, Ом |
Qg, нКл |
Tr, нС |
Ci, пФ |
Tj, гр.Ц |
КОРПУС |
| AFN06N60T251T |
PTH |
N |
125 |
600 |
30 |
4 |
6 |
1.5 |
13.32 |
42.67 |
83.6 |
150 |
TO-251 |
| FDP7N60NZ |
PTH |
N |
147 |
600 |
30 |
5 |
6.5 |
1.25 |
13 |
- |
- |
150 |
TO-220 |
| STB8NM60T4 |
SMD |
N |
100 |
600 |
30 |
5 |
8 |
1 |
13 |
10 |
100 |
150 |
D2PAK |
| STD5NM60-1 |
PTH |
N |
96 |
600 |
30 |
5 |
5 |
1 |
13 |
10 |
100 |
150 |
IPAK |
| STD5NM60T4 |
SMD |
N |
96 |
600 |
30 |
5 |
5 |
1 |
13 |
10 |
100 |
150 |
DPAK |
| STD7N80K5 |
SMD |
N |
110 |
800 |
30 |
5 |
6 |
1.2 |
13.4 |
8.3 |
30 |
150 |
DPAK |
| STP7N80K5 |
PTH |
N |
110 |
800 |
30 |
5 |
6 |
1.2 |
13.4 |
8.3 |
30 |
150 |
TO-220 |
| STU6N95K5 |
PTH |
N |
90 |
950 |
30 |
5 |
9 |
1.25 |
13 |
12 |
30 |
150 |
IPAK |
| STU7N80K5 |
PTH |
N |
110 |
800 |
30 |
5 |
6 |
1.2 |
13.4 |
8.3 |
30 |
150 |
IPAK |