Справочник электронных компонентов

Транзистор AUIRFR5410

AUIRFR5410 - Транзистор полевой MOSFET структуры P

Тип исполнения: для поверхностного монтажа на плату (SMD)
Корпус: DPAK

Основные характеристики:

Максимальная рассеиваемая мощность стока, Pd: 66 Вт
Максимальное напряжение сток-исток, Vds: 100 В
Максимальное напряжение затвор-исток, Vgs: 20 В
Пороговое напряжение включения, Vgs(th): 4 В
Максимальный постоянный ток стока, Id: 13 А
Сопротивление открытого перехода сток-исток, Rds: 0.205 Ом
Общий заряд затвора, Qg: 38.7 нКл
Время нарастания импульса открытия, Tr: -
Входная емкость (затвор-исток), Ci: -
Максимальная рабочая температура канала, Tj: 150 гр.Ц

Транзистор AUIRFR5410 можно заменить на:

НАЗВАНИЕ	ТИП	СТР.	Pd, Вт	Vds, В	Vgs, В	Vgsth, В	Id, А	Rds, Ом	Qg, нКл	Tr, нС	Ci, пФ	Tj, гр.Ц	КОРПУС
FQA17P10	PTH	P	120	100	30	4	18	0.19	30	200	310	175	TO-3P
FQB15P12TM	SMD	P	100	120	30	4	15	0.2	29	100	310	175	D2PAK
FQB17P10TM	SMD	P	100	100	30	4	16.5	0.19	30	200	310	175	D2PAK
FQI15P12TU	PTH	P	100	120	30	4	15	0.2	29	100	310	175	I2PAK
FQP15P12	PTH	P	100	120	30	4	15	0.2	38	-	-	175	TO-220
FQP17P10	PTH	P	100	100	30	4	16.5	0.19	30	-	-	175	TO-220
IRF9530NL	PTH	P	79	100	20	4	14	0.2	38.7	-	760	175	TO-262
IRF9530NS	SMD	P	79	100	20	4	14	0.2	38.7	-	760	175	D2PAK
IRFU5410	PTH	P	66	100	20	4	13	0.205	38.7	-	-	150	TO-251AA
IRFY9140CM	PTH	P	100	100	20	4	15.8	0.2	30	85	600	150	TO-257AA