Транзистор BS808

BS808 - Транзистор полевой MOSFET структуры P

• Тип исполнения: для поверхностного монтажа на плату (SMD)
• Корпус: SOT-89
• SMD-код: S08

Основные характеристики:

• Максимальная рассеиваемая мощность стока, Pd: 0.83 Вт
• Максимальное напряжение сток-исток, Vds: 240 В
• Максимальное напряжение затвор-исток, Vgs: 20 В
• Пороговое напряжение включения, Vgs(th): 2.5 В
• Максимальный постоянный ток стока, Id: 0.2 А
• Сопротивление открытого перехода сток-исток, Rds: 7 Ом
• Общий заряд затвора, Qg: -
• Время нарастания импульса открытия, Tr: 20 нС
• Входная емкость (затвор-исток), Ci: -
• Максимальная рабочая температура канала, Tj: 150 гр.Ц

Транзистор BS808 можно заменить на:

Нет элементов для замены