Транзистор BSC050N03MSG
BSC050N03MSG - Транзистор полевой MOSFET структуры N
- Тип исполнения: для поверхностного монтажа на плату (SMD)
- Корпус: SuperSOT-8
Основные характеристики:
- Максимальная рассеиваемая мощность стока, Pd: 50 Вт
- Максимальное напряжение сток-исток, Vds: 30 В
- Максимальное напряжение затвор-исток, Vgs: -
- Пороговое напряжение включения, Vgs(th): -
- Максимальный постоянный ток стока, Id: 80 А
- Сопротивление открытого перехода сток-исток, Rds: 0.005 Ом
- Общий заряд затвора, Qg: 17 нКл
- Время нарастания импульса открытия, Tr: -
- Входная емкость (затвор-исток), Ci: -
- Максимальная рабочая температура канала, Tj: -
Транзистор BSC050N03MSG можно заменить на:
| НАЗВАНИЕ |
ТИП |
СТР. |
Pd, Вт |
Vds, В |
Vgs, В |
Vgsth, В |
Id, А |
Rds, Ом |
Qg, нКл |
Tr, нС |
Ci, пФ |
Tj, гр.Ц |
КОРПУС |
| BUK652R7-30C |
PTH |
N |
204 |
30 |
16 |
2.8 |
100 |
0.0033 |
5.9 |
59 |
896 |
175 |
TO-220AB |
| CSD18503KCS |
PTH |
N |
188 |
40 |
20 |
2.3 |
100 |
0.0045 |
15 |
5.3 |
480 |
175 |
TO-220 |
| PH5030AL |
SMD |
N |
61 |
30 |
20 |
2.15 |
91 |
0.005 |
14.1 |
35 |
373 |
175 |
LFPAK |