Транзистор BSC080P03LSG
BSC080P03LSG - Транзистор полевой MOSFET структуры P
- Тип исполнения: для поверхностного монтажа на плату (SMD)
- Корпус: SuperSOT-8
Основные характеристики:
- Максимальная рассеиваемая мощность стока, Pd: 89 Вт
- Максимальное напряжение сток-исток, Vds: 30 В
- Максимальное напряжение затвор-исток, Vgs: -
- Пороговое напряжение включения, Vgs(th): -
- Максимальный постоянный ток стока, Id: 30 А
- Сопротивление открытого перехода сток-исток, Rds: 0.008 Ом
- Общий заряд затвора, Qg: 92 нКл
- Время нарастания импульса открытия, Tr: -
- Входная емкость (затвор-исток), Ci: -
- Максимальная рабочая температура канала, Tj: -
Транзистор BSC080P03LSG можно заменить на:
| НАЗВАНИЕ |
ТИП |
СТР. |
Pd, Вт |
Vds, В |
Vgs, В |
Vgsth, В |
Id, А |
Rds, Ом |
Qg, нКл |
Tr, нС |
Ci, пФ |
Tj, гр.Ц |
КОРПУС |
| AOD403 |
SMD |
P |
90 |
30 |
25 |
3.5 |
70 |
0.008 |
51 |
12 |
585 |
175 |
TO-252 |
| IPD068P03L3G |
SMD |
P |
100 |
30 |
- |
- |
70 |
0.0068 |
68 |
- |
- |
- |
DPAK |
| MTB09P03J3 |
SMD |
P |
93 |
30 |
20 |
- |
75 |
0.008 |
56 |
20 |
486 |
150 |
TO-252 |