Транзистор BSC196N10NSG
BSC196N10NSG - Транзистор полевой MOSFET структуры N
- Тип исполнения: для поверхностного монтажа на плату (SMD)
- Корпус: SuperSOT-8
Основные характеристики:
- Максимальная рассеиваемая мощность стока, Pd: 78 Вт
- Максимальное напряжение сток-исток, Vds: 100 В
- Максимальное напряжение затвор-исток, Vgs: -
- Пороговое напряжение включения, Vgs(th): -
- Максимальный постоянный ток стока, Id: 45 А
- Сопротивление открытого перехода сток-исток, Rds: 0.0196 Ом
- Общий заряд затвора, Qg: 25 нКл
- Время нарастания импульса открытия, Tr: -
- Входная емкость (затвор-исток), Ci: -
- Максимальная рабочая температура канала, Tj: -
Транзистор BSC196N10NSG можно заменить на:
| НАЗВАНИЕ |
ТИП |
СТР. |
Pd, Вт |
Vds, В |
Vgs, В |
Vgsth, В |
Id, А |
Rds, Ом |
Qg, нКл |
Tr, нС |
Ci, пФ |
Tj, гр.Ц |
КОРПУС |
| BSC152N10NSFG |
SMD |
N |
114 |
100 |
- |
- |
63 |
0.0152 |
22 |
- |
- |
- |
SuperSOT-8 |
| BSC190N15NS3G |
SMD |
N |
125 |
150 |
- |
- |
50 |
0.019 |
23 |
- |
- |
- |
SuperSOT-8 |
| CSD19534KCS |
PTH |
N |
118 |
100 |
20 |
3.4 |
54 |
0.0165 |
17.1 |
2 |
257 |
175 |
TO-220 |
| FDD86110 |
SMD |
N |
127 |
100 |
20 |
4 |
50 |
0.0102 |
25 |
- |
- |
150 |
TO-252 |