Транзистор BSO052N03S
BSO052N03S - Транзистор полевой MOSFET структуры N
- Тип исполнения: для поверхностного монтажа на плату (SMD)
- Корпус: SO-8
Основные характеристики:
- Максимальная рассеиваемая мощность стока, Pd: 2.5 Вт
- Максимальное напряжение сток-исток, Vds: 30 В
- Максимальное напряжение затвор-исток, Vgs: 20 В
- Пороговое напряжение включения, Vgs(th): 2 В
- Максимальный постоянный ток стока, Id: 17 А
- Сопротивление открытого перехода сток-исток, Rds: 0.0052 Ом
- Общий заряд затвора, Qg: -
- Время нарастания импульса открытия, Tr: -
- Входная емкость (затвор-исток), Ci: -
- Максимальная рабочая температура канала, Tj: 150 гр.Ц
Транзистор BSO052N03S можно заменить на:
| НАЗВАНИЕ |
ТИП |
СТР. |
Pd, Вт |
Vds, В |
Vgs, В |
Vgsth, В |
Id, А |
Rds, Ом |
Qg, нКл |
Tr, нС |
Ci, пФ |
Tj, гр.Ц |
КОРПУС |
| AFN7424S |
SMD |
N |
3.8 |
30 |
20 |
2 |
20 |
0.005 |
15 |
10 |
350 |
150 |
DFN3.3X3.3-8L |
| AP4N1R1CDT-A |
SMD |
N |
5 |
45 |
20 |
2 |
50.6 |
0.00115 |
- |
64 |
1330 |
150 |
PDFN5X6 |
| AP4N2R6MT |
SMD |
N |
5 |
40 |
20 |
2 |
33.7 |
0.0026 |
- |
55 |
900 |
150 |
PMPAK5X6 |
| NVMFS5C423NL |
SMD |
N |
3.7 |
40 |
20 |
2 |
31 |
0.003 |
23 |
72 |
1300 |
175 |
DFN5X6 |
| NVMFS5C604NL |
SMD |
N |
3.9 |
60 |
20 |
2 |
40 |
0.0012 |
52 |
79.1 |
3750 |
175 |
DFN5X6 |
| NVMFS5C612NL |
SMD |
N |
3.8 |
60 |
20 |
2 |
36 |
0.0015 |
41 |
51 |
2953 |
175 |
DFN5X6 |
| NVMFS5C646NL |
SMD |
N |
3.7 |
60 |
20 |
2 |
20 |
0.0047 |
15.7 |
14.9 |
900 |
175 |
DFN5X6 |
| SIR640ADP |
SMD |
N |
6.25 |
40 |
20 |
2 |
41.6 |
0.002 |
60 |
6 |
3930 |
150 |
SO-8 |