Справочник электронных компонентов

Транзистор BSO080P03NS3EG

BSO080P03NS3EG - Транзистор полевой MOSFET структуры P

Основные характеристики:

Транзистор BSO080P03NS3EG можно заменить на:

НАЗВАНИЕ ТИП СТР. Pd, Вт Vds, В Vgs, В Vgsth, В Id, А Rds, Ом Qg, нКл Tr, нС Ci, пФ Tj, гр.Ц КОРПУС
AM7335P SMD P 3.5 30 20 1 18 0.008 60 37 - 150 DFN3X3-8L
AO4409 SMD P 3.1 30 20 2.7 15 0.0075 51.5 16.5 945 150 SO-8
AO4423 SMD P 3.1 30 25 2.6 17 0.0072 47 8 583 150 SO-8
AO4447 SMD P 3.1 30 20 1.6 15 0.0075 45.2 11.5 745 150 SO-8
BSO080P03NS3G SMD P 1.6 30 - - 14.8 0.008 61 - - - SO-8
HAT1128R SMD P 2.5 30 20 - 18 0.0075 48 35 930 150 SOP-8
IRF9310 SMD P 2.5 30 20 - 20 0.0046 58 - - - SO-8
IRF9310PBF SMD P 2.5 30 20 2.4 20 0.0046 58 47 1300 150 SO-8
IRF9310PBF-1 SMD P 2.5 30 20 2.4 20 0.0046 58 47 1300 150 SO-8
IRF9317 SMD P 2.5 30 20 - 16 0.0066 31 - - - SO-8
IRF9317PBF SMD P 2.5 30 20 2.4 16 0.0066 31 64 640 150 SO-8
IRF9321 SMD P 2.5 30 20 - 15 0.0072 34 - - - SO-8
IRF9321PBF SMD P 2.5 30 20 2.4 15 0.0072 34 79 590 150 SO-8
MTP4409Q8 SMD P 3.1 30 25 - 15 0.0077 56 19 498 150 SOP-8