Справочник электронных компонентов

Транзистор BSO613SPVG

BSO613SPVG - Транзистор полевой MOSFET структуры P

Основные характеристики:

Транзистор BSO613SPVG можно заменить на:

НАЗВАНИЕ ТИП СТР. Pd, Вт Vds, В Vgs, В Vgsth, В Id, А Rds, Ом Qg, нКл Tr, нС Ci, пФ Tj, гр.Ц КОРПУС
AFP6459 SMD P 2.8 60 20 2.5 5.4 0.102 12 6 90 150 TSSOP-8P
AFP9407 SMD P 2.8 60 20 2.5 4.6 0.1 12 6 90 150 SOP-8P
AM4481P SMD P 3.1 80 20 1 6.8 0.126 18 10 - 150 SOIC-8
AM7363P SMD P 3.5 60 20 1 7.1 0.047 19 14 128 150 DFN3X3-8L
AM7367P SMD P 3.5 60 20 1 5.4 0.082 10 5 84 150 DFN3X3-8L
AM7381P SMD P 3.5 80 20 1 4.3 0.129 13 9 141 150 DFN3X3-8L
AM7461P SMD P 5 60 20 1 10 0.045 15.3 12 - 150 SOIC-8PP
CHM6601JGP SMD P 2.5 60 20 3 4.3 0.086 18.8 6 110 150 SO-8
CHM6861JGP SMD P 2.5 60 20 3 3.5 0.125 11 4 85 150 SO-8
CHM6861ZGP SMD P 3 60 20 3 3.5 0.13 11 4 - 150 SOT-223
QM6001D SMD P 16 60 20 2.5 11.5 0.11 5.85 17 51 150 TO-252
QM6003F PTH P 23 60 20 2.5 15 0.06 9.86 18 97.3 150 TO-220F
QM6003S SMD P 3.5 60 20 2.5 5.7 0.06 9.86 18 97.3 150 SOP-8
SQ3427EV SMD P 5 60 20 2.5 5.3 0.095 15.3 24 90 175 TSOP-6
SSM9575M SMD P 2.5 60 25 3 4 0.09 18 5 165 150 SO-8