Транзистор BST80
BST80 - Транзистор полевой MOSFET структуры N
- Тип исполнения: для поверхностного монтажа на плату (SMD)
- Корпус: SOT-89
- SMD-код: KM
Основные характеристики:
- Максимальная рассеиваемая мощность стока, Pd: 1 Вт
- Максимальное напряжение сток-исток, Vds: 80 В
- Максимальное напряжение затвор-исток, Vgs: 20 В
- Пороговое напряжение включения, Vgs(th): 3.5 В
- Максимальный постоянный ток стока, Id: 0.5 А
- Сопротивление открытого перехода сток-исток, Rds: 3 Ом
- Общий заряд затвора, Qg: -
- Время нарастания импульса открытия, Tr: 15 нС
- Входная емкость (затвор-исток), Ci: 60 пФ
- Максимальная рабочая температура канала, Tj: 150 гр.Ц
Транзистор BST80 можно заменить на:
| НАЗВАНИЕ |
ТИП |
СТР. |
Pd, Вт |
Vds, В |
Vgs, В |
Vgsth, В |
Id, А |
Rds, Ом |
Qg, нКл |
Tr, нС |
Ci, пФ |
Tj, гр.Ц |
КОРПУС |
| AM3490NE |
SMD |
N |
2 |
150 |
20 |
3.5 |
1.2 |
0.7 |
2.5 |
8 |
37 |
150 |
TSOP-6 |
| AM5350N |
SMD |
N |
2.5 |
150 |
20 |
3.5 |
1.3 |
0.7 |
2.5 |
5 |
37 |
150 |
DFN3X2 |
| PCP1402 |
SMD |
N |
3.5 |
250 |
30 |
3.5 |
1.2 |
1.8 |
4.2 |
6.7 |
20 |
150 |
SOT-89 |