Транзистор BUK6607-75C

BUK6607-75C - Транзистор полевой MOSFET структуры N

• Тип исполнения: для поверхностного монтажа на плату (SMD)
• Корпус: D2PAK

Основные характеристики:

• Максимальная рассеиваемая мощность стока, Pd: 204 Вт
• Максимальное напряжение сток-исток, Vds: 75 В
• Максимальное напряжение затвор-исток, Vgs: 16 В
• Пороговое напряжение включения, Vgs(th): 2.8 В
• Максимальный постоянный ток стока, Id: 100 А
• Сопротивление открытого перехода сток-исток, Rds: 0.007 Ом
• Общий заряд затвора, Qg: 123 нКл
• Время нарастания импульса открытия, Tr: -
• Входная емкость (затвор-исток), Ci: -
• Максимальная рабочая температура канала, Tj: 175 гр.Ц

Транзистор BUK6607-75C можно заменить на:

Нет элементов для замены