Справочник электронных компонентов

Транзистор BUK7E4R3-75C

BUK7E4R3-75C - Транзистор полевой MOSFET структуры N

Тип исполнения: с выводами для монтажа в плату через отверстия (PTH)
Корпус: I2PAK

Основные характеристики:

Максимальная рассеиваемая мощность стока, Pd: 333 Вт
Максимальное напряжение сток-исток, Vds: 75 В
Максимальное напряжение затвор-исток, Vgs: 20 В
Пороговое напряжение включения, Vgs(th): 4 В
Максимальный постоянный ток стока, Id: 100 А
Сопротивление открытого перехода сток-исток, Rds: 0.0043 Ом
Общий заряд затвора, Qg: 142 нКл
Время нарастания импульса открытия, Tr: -
Входная емкость (затвор-исток), Ci: -
Максимальная рабочая температура канала, Tj: 175 гр.Ц

Транзистор BUK7E4R3-75C можно заменить на:

НАЗВАНИЕ	ТИП	СТР.	Pd, Вт	Vds, В	Vgs, В	Vgsth, В	Id, А	Rds, Ом	Qg, нКл	Tr, нС	Ci, пФ	Tj, гр.Ц	КОРПУС
AOB480L	SMD	N	333	80	25	4	180	0.0042	116	33	810	175	TO-263
BUK754R3-75C	PTH	N	333	75	20	4	100	0.0043	142	-	-	175	TO-220AB
BUK764R0-75C	SMD	N	333	75	20	4	100	0.004	142	-	-	175	D2PAK
FDB035N10A	SMD	N	333	100	20	4	125	0.0035	89	-	-	175	TO-263
FDP036N10A	PTH	N	333	100	20	4	125	0.0036	89	-	-	175	TO-220
PSMN3R3-80ES	PTH	N	338	80	20	4	120	0.0033	135	43	847	175	I2PAK
PSMN3R3-80PS	PTH	N	338	80	20	4	120	0.0033	135	43	847	175	TO-220AB
PSMN3R5-80ES	PTH	N	338	80	20	4	120	0.0035	139	-	-	175	I2PAK
PSMN3R5-80PS	PTH	N	338	80	20	4	120	0.0035	139	-	-	175	TO-220AB
TK160F10N1	SMD	N	375	100	20	4	160	0.0024	121	22	3960	175	TO-220SM